pin光电二极管电路图

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　　PIN光电二极管是正在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体（semiconductor），酿成P-I-N构造而得名，如下图所示：

　　如上图所示，处于反偏状况的器件，电源正在PN结酿成的电场E与内筑电场Ei同偏向，使耗尽区加宽。当光波注入时，能正在较宽的范 围内胀励出载流子，因为i区有电场，光生载流子以较速的漂移速率向电极挪动，酿成表部电流。

　　图1所示电道是一个高速光电二极管信号颐养电道，拥有暗电流积累效用。体例转换来自高速硅PIN光电二极管的电流，并驱动20 MSPS模数转换器ADC）的输入。该器件组合可供给400 nm至1050 nm的频谱敏锐度和49 nA的光电流敏锐度、91 dB的动态领域以及2 MHz的带宽。信号颐养电道采用±5 V电源供电，功耗仅为40 mA，适合便携式高速、高离别率光强度操纵，如脉搏血氧仪。

　　本电道还适合其它操纵，如模仿光分开器。它还能满意必要更高带宽和更低离别率的操纵，如自顺应速率限造体例。

　　本电道札记叙论图1中所示电道的优化打算办法，以满意特定带宽操纵的哀求，这些办法包含：牢固性推算、噪声理会和器件选取思量成分。

　　光电二极管属于高，用于检测光的强度。它没有内部增益，但比拟其它光检测器，可正在更高的光级度下职业。

　　光电二极监职业时采用零偏置（光伏）形式或反向偏置（光导）形式。光伏形式可得到最精准的线性运算，而让二极监职业正在光导形式可完毕更高的开合速率，但价值是下降线性度。正在反向偏置条款下，存正在少量的电流（称为暗电流），它们以至正在没有光照度的境况下也会滚动。可正在运算放大器的同相输入端操纵第二个同类光电二极管消释暗电流差错，如图1所示。

　　因为结电容取决于光电二极管的扩散区以及施加的反向偏置，采用扩散区较幼的光电二极管并施加较大的反向偏置即可得到更速的上升时辰。正在 CN-0272电道札记中，采用 SFH 2701 PIN光电二极管，其结电容楷模值为3 pF，0 V偏置下的最大值为5 pF.1 V反向偏置时的楷模电容为2 pF，5 V 反向偏置时为1.7 pF.本电道的丈量均正在5 V反向偏置下举办。