ddr2和ddr3的区别(DDR2和DDR3的区别)

1、DDR2的逻辑Bank数量有4Bank和8Bank，而DDR3有8Bank和16Bank；2、DDR2采用的是60、68、84球FBGA封装，而DDR3采用的是78或96球FBGA封装；3、DDR2的突发传输周期为4，DDR3为8；4、DDR2的延迟周期为2到5之间，DDR3为5到11之间。

DDR2和DDR3的区别

1、逻辑Bank数量的不同，在DDR2中逻辑Bank的数量有4Bank和8Bank，而DDR3的逻辑Bank数量起始就是8Bank，甚至还有16Bank。

2、封装的不同，DDR2采用的是60、68、84球FBGA封装，而DDR3的8bit芯片采用的是78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，并且DDR3的封装更加的绿色环保。

3、突发长度的不同，DDR3的预取为8bit，因此突发传输周期固定为8，而DDR2的突发传输周期为4。

4、寻址时序的不同，DDR3的延迟周期在DDR2的基础上有所提升，DDR3的延迟周期是5到11之间，DDR2的延迟周期是2到5之间。